一、定義與原理
定義:等離子去膠是利用等離子體技術(shù),通過氣體放電產(chǎn)生高能粒子,這些粒子能夠解離化學(xué)鍵、改變分子結(jié)構(gòu),從而有效去除物體表面的污染物、殘留膠層等雜質(zhì)的過程。
原理:在特定壓強(qiáng)和電壓條件下,通過氣輝放電的方式產(chǎn)生等離子體。等離子體由電子、離子、自由基等活性粒子組成,具有很高的能量和反應(yīng)活性。當(dāng)?shù)入x子體直接噴向被處理表面時(shí),會(huì)與表面物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),分解并去除污染物,同時(shí)增加表面的活性,提升潤(rùn)濕性和附著力。
二、優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)
高效去膠:等離子體的高反應(yīng)活性使其能夠迅速破壞膠體顆粒的結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)膠體的去除。
環(huán)保節(jié)能:無需使用化學(xué)溶劑,減少二次污染和資源消耗,符合環(huán)保要求。
精準(zhǔn)控制:具備高精度的控制和均勻性控制,確保處理效果的一致性。
廣泛適用:適用于多種材料和工藝,包括硅片、玻璃片、金屬等。
三、工藝參數(shù)與影響因素
等離子去膠的效果受多個(gè)工藝參數(shù)的影響,包括射頻頻率、清洗時(shí)間、真空壓力值以及腔體溫度等。這些參數(shù)需要根據(jù)具體的去膠需求和材料特性進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化,以獲得最佳的去膠效果。
岱美設(shè)計(jì)生產(chǎn)的先進(jìn)干法去膠、掩膜蝕刻系列產(chǎn)品,可用于大批量去膠與大劑量離子注入后去膠,同時(shí)還可用于各種硬掩膜層干法蝕刻。
微波等離子清洗,等離子去膠工藝擁有低污染顆粒,低成本大規(guī)模量產(chǎn),高均勻性與高可復(fù)制性等工藝特征。采用高度模塊化設(shè)計(jì),為廣大客戶提供多樣靈活配置方案,滿足不同的先進(jìn)制程要求。
四、等離子去膠應(yīng)用領(lǐng)域:
1、LDI后光刻膠去除;
2、光刻膠、聚合物去除(灰化);
3、大劑量離子注入后光刻膠去除;
4、二氧化硅、氮化硅、氮化鈦掩膜蝕刻;
5、碳化硅、氮化鎵、鉭酸鋰、磷化銦材料工藝;
6、射頻濾波器BAW,SAW生產(chǎn)工藝中光刻膠去除;
7、MEMS應(yīng)用、晶圓級(jí)封裝(PR、PI、BCB、PBO)。